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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
NTD12N10T4G
NTD12N10T4G

ON NTD12N10T4G

N 通道100 V12A（Ta）4V @ 250µA1.28W（Ta），56.6W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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NTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NTD12N10T4G 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The NTD12N10-1G is MOSFET N-CH 100V 12A IPAK manufactured by ONS. The NTD12N10-1G is available in TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 12A IPAK, N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-Pak.

The NTD12N10T4 is MOSFET N-CH 100V 12A DPAK manufactured by ONS. The NTD12N10T4 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 12A DPAK, N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK-3.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


  • Source?to?Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

  • Avalanche Energy Specified

  • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature

  • Mounting Information Provided for the DPAK Package

  • These are Pb?Free Devices



DPAK Supplier Device Package

Applications


  • PWM Motor Controls

  • Power Supplies

  • Converters


产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 165 毫欧 @ 6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 550 pF @ 25 V
最大功率耗散: 1.28W（Ta），56.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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