联系我们
中文
NTB90N02

ON NTB90N02

N 通道24 V90A(Ta)3V @ 250µA85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

比较
onsemi
NTB90N02
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

面议

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

NTB85N03LT4G with pin details manufactured by ON. The NTB85N03LT4G is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.

The NTB85N03T4G is MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK manufactured by ON. The NTB85N03T4G is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK, N-Channel 28V 85A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK, Trans MOSFET N-CH 28V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology

 

  • Pb-Free Packages are Available



D²PAK Supplier Device Package

Applications


  • Converters

  • Bridge Circuits

  • Power Supplies

  • Power Motor Controls


产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5.8 毫欧 @ 90A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2120 pF @ 20 V
最大功率耗散: 85W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z