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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
NTB18N06L
NTB18N06L

ON NTB18N06L

N 通道60 V15A（Tc）2V @ 250µA48.4W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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onsemi
NTB18N06L
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The NTB13N10 is MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK manufactured by ON. The NTB13N10 is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK, N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK.

The NTB13N10T4G is MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK manufactured by ON. The NTB13N10T4G is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK, N-Channel 100V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK, Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology

 

  • Converters

  • Bridge Circuits

  • Power Supplies

  • Power Motor Controls

  • Pb-Free Packages are Available



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Converters

  • Bridge Circuits

  • Power Supplies

  • Power Motor Controls


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产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 100 毫欧 @ 7.5A，5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 440 pF @ 25 V
最大功率耗散: 48.4W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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