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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
NDS356AP
NDS356AP

ON NDS356AP

P 通道30 V1.1A（Ta）2.5V @ 250µA500mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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onsemi
NDS356AP
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
NDS356AP 数据表(pdf)
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￥2.08

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

• Load Switching• DC/DC converter• Battery protection• Power management control• DC motor control

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Industry standard outline SOT-23 surface-mount package using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior thermal and electrical capabilities.

  • High density cell design for extremely low RDS(ON).

  • Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.

  • -1.1 A, -30 V



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 1.3A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 280 pF @ 10 V
最大功率耗散: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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