ON NDS0605
P 通道60 V180mA（Ta）3V @ 250µA360mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较NDS0605
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
￥0.37
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
• Load Switching• DC/DC converter• Battery protection• Power management control• DC motor control
Features
Tape & Reel (TR) PackageHigh saturation current
High density cell design for low RDS(ON)
?0.18A, ?60V. RDS(ON) = 5 ? @ VGS = ?10 V
Voltage controlled p-channel small signal switch
Applications
Load Switching
DC/DC converter
DC motor control
Battery protection
Power management control
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5 欧姆 @ 500mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 79 pF @ 25 V
最大功率耗散: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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