所有分类
联系我们
中文
首页
所有分类
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
ISL9N302AS3ST
ISL9N302AS3ST

ON ISL9N302AS3ST

N 通道30 V75A（Tc）3V @ 250µA345W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

比较
onsemi
ISL9N302AS3ST
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
ISL9N302AS3ST 数据表(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

￥7.68

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

ISL9N2357D3S with pin details manufactured by FSC. The ISL9N2357D3S is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.

The ISL9N302AP3 is MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB manufactured by FAIRCHILD. The ISL9N302AP3 is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB, N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-220AB, Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube.

Features

UltraFET™ Series


  • Qg (Typ) = 110nC, VGS = 5V

  • Qgd (Typ) = 31nC

  • CISS (Typ) = 11000pF

  • Fast switching

  • rDS(ON) = 0.0019? (Typ), VGS = 10V

  • rDS(ON) = 0.0027? (Typ), VGS = 4.5V



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • DC/DC converters

  • Switch Mode Power Supplies (SMPS)

  • Power-Over-Ethernet (PoE)

  • Solar inverters

  • Automotive applications


产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.3 毫欧 @ 75A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 11000 pF @ 15 V
最大功率耗散: 345W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK（TO-263）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

热门零件号

查看全部

实时新闻

查看全部

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

热门产品

01 / 02
10

所有产品零件号 0 - Z