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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FQPF9N25
FQPF9N25

ON FQPF9N25

N 通道250 V6.7A（Tc）5V @ 250µA45W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔

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onsemi
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FQPF8P10 is MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F manufactured by FAIRCHILD. The FQPF8P10 is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F, P-Channel 100V 5.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F, Trans MOSFET P-CH 100V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail.

The FQPF9N15 is MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F manufactured by FAIRCHILD. The FQPF9N15 is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F, N-Channel 150V 6.9A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-220F, Trans MOSFET N-CH 150V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F.

Features

QFET® Series


  • RDS(on) = 0.42Q @VGS =10V @6.7A, 250V

  • a low gate fee (typical 15.5 nC)

  • Extremely Low Crss (typical 15 pF)

  • Quick swapping

  • Avalanche-proofed to the nth degree

  • Dv/dt capability has been improved.



Through Hole Mounting Type

Applications


Switching applications


产品属性
全选
型号系列: QFET®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 420 毫欧 @ 3.35A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 700 pF @ 25 V
最大功率耗散: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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