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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDS6699S
FDS6699S

ON FDS6699S

N 通道30 V21A（Ta）3V @ 1mA2.5W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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onsemi
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
FDS6699S 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6699S includes an integrated Schottky diode using a monolithic SyncFET technology.

Features

PowerTrench®, SyncFET™ Series

  • 21A, 30V

  • RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V

  • RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5V

  • Includes SyncFET Schottky body diode

  • High-performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching

  • High power and current handling capability

  • 100% RG (Gate Resistance) tested


Surface Mount Mounting Type

Applications

  • Notebook Vcore low-side switch

  • Point of Load Low Side Switch

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • Synchronous Rectifier for DC/DC Converters


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®, SyncFET™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3.6 毫欧 @ 21A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3610 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相似零件：0
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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