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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDS6574A
FDS6574A

ON FDS6574A

N 通道20 V16A（Ta）1.5V @ 250µA2.5W（Ta）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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FDS6574A
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
FDS6574A 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.

Features

PowerTrench® Series

  • 16 A, 20 V

  • RoHS Compliant

  • Low gate charge

  • RDS(on) = 6 mΩ@ VGS = 4.5 V

  • RDS(on) = 7 mΩ @ VGS = 2.5 V

  • RDS(on) = 9 mΩ @ VGS = 1.8 V

  • High-performance trench technology for extremely low RDS(ON)

  • High power and current handling capability


Surface Mount Mounting Type

Applications

  • The product is intended for general usage and is suitable for a wide range of applications.

  • DC/DC Converters

  • Low-voltage

  • Battery-powered applications that demand little in-line power loss and quick switching


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏极至源极电压 (Vdss): 20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 16A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6 毫欧 @ 16A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 105 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 7657 pF @ 10 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: 8-SOIC
包装 / 盒: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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