ON FDS4435
P 通道30 V8.8A（Ta）3V @ 250µA2.5W（Ta）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较FDS4435
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
￥0.27
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This P-Channel MOSFET 4435 is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gav e drive voltage ratings (4.5V –25V).
Features
PowerTrench® Series-8.8A, -30V rDS(on)= 20 mQ @Vcs =-10 V
rDS(on)= 35 mQ @ Vcs =-4.5 V
Low gate charge (17nC typical)
Fast switching speed
High-performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability
Applications
Power management
Load switch
Battery protection
Notebook Computers
Portable Battery Packs
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 20 毫欧 @ 8.8A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1604 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
热门产品
01 / 02
10
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3