ON FDPF190N15A
N 通道150 V27.4A（Tc）4V @ 250µA33W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较FDPF190N15A
MOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F
￥1.75
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesFDPF190N15A MOSFET has much superior body diode reverse recovery performance. FDPF190N15A ON Semiconductor can remove the additional component and improve system reliability in certain applications that require performance improvement of the MOSFET’s body diode. FDPF190N15A datasheet is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display TV power, ATX, and electronic lamp ballasts.
Through Hole Mounting Type
Applications
Low Crss
Improved dv/dt capability
Low gate charge
100% avalanche tested
RoHS compliant
FDPF190N15A Applications
Uninterruptible Power Supplies
LED
Lighting
AC-DC Power Supplies
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.4A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 19 毫欧 @ 27.4A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2685 pF @ 25 V
最大功率耗散: 33W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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