ON FDP80N06
N 通道60 V80A（Tc）4V @ 250µA176W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
￥3.43
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ Series
RDS(on) = 10m? ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 40A
Low gate charge ( Typ. 57nC)
Low Crss ( Typ. 145pF)
Fast Switching Speed
Improved dv/dt Capability
RoHS Compliant
Applications
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Workstation
Server & Mainframe
Desktop PC
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
Through Hole Mounting Type
Applications
power factor correction (PFC)
flat panel display (FPD) TV power supplies
ATX and electronic lamp ballasts
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: UniFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 10 毫欧 @ 40A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3190 pF @ 25 V
最大功率耗散: 176W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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