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FDP3672

ON FDP3672

N 通道105 V5.9A(Ta),41A(Tc)4V @ 250µA135W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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onsemi
FDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

PowerTrench® Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
105 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.9A (Ta), 41A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
33mOhm @ 41A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
37 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1670 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
135W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type

Applications

 

Optimized Efficiency at High Frequencies

Low Miller Charge

RDS(on) = 25m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 41A

Low Qrr Body Diode

QG(tot) = 28nC (Typ.) @ VGS = 10V

 

 

FDP42AN15A0 Applications

 

Consumer Appliances

Synchronous Rectification

Battery Protection Circuit

Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

Micro Solar Inverters

 


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 105 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.9A(Ta),41A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 6V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 33 毫欧 @ 41A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1670 pF @ 25 V
最大功率耗散: 135W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。