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单 FET，MOSFET
FDN308P
FDN308P

ON FDN308P

P 通道20 V1.5A（Ta）1.5V @ 250µA500mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
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价格更新：2025-03-10

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features • –20 V, –1.5 A. Rds(on)= 125 mΩ@ Vgs= –4.5 V Rds(on)= 190 mΩ@ Vgs= –2.5 V • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low Rds(on)• SuperSOT -3 provides low RDS(ON)and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

Features

PowerTrench® Series


  • Fast switching speed

  • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

  • SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 

  • –20 V, –1.5 A. 



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power management

  • Load switch

  • Battery protection


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 2.5V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 125 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±12V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 341 pF @ 10 V
最大功率耗散: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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