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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMS8670S
FDMS8670S

ON FDMS8670S

N 通道30 V20A (Ta), 42A (Tc)3V @ 1mA2.5W（Ta），78W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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onsemi
FDMS8670S
MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
FDMS8670S 数据表(pdf)
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￥6.96

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

PowerTrench®, SyncFET™ Series


  • Maximum RDS(on) = 3.5mΩ at VGS = 10V, ID = 20A

  • Maximum RDS(on) = 5.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 17A

  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency

  • SyncFET Schottky Body Diode

  • MSL1 robust package design

  • RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • Synchronous Rectifier for DC/DC Converters

  • Notebook Vcore/GPU low side switch

  • Networking Point of Load low side switch

  • Telecom secondary side rectification


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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®, SyncFET™
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A (Ta), 42A (Tc)
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3.5 毫欧 @ 20A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4000 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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