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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMS7698
FDMS7698

ON FDMS7698

N 通道30 V13.5A（Ta），22A（Tc）3V @ 250µA2.5W（Ta），29W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDMS7698
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
FDMS7698 数据表(pdf)
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13.5 A

  • Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.0 A

  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency

  • Next-generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery

  • MSL1 robust package design

  • 100% UIL tested

  • RoHS compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial



产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A（Ta），22A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 10 毫欧 @ 13.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1605 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta），29W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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