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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMC86265P
FDMC86265P

ON FDMC86265P

P 通道150 V1A（Ta），1.8A（Tc）4V @ 250µA2.3W（Ta），16W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDMC86265P
MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
FDMC86265P 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This P-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features

PowerTrench® Series

Max rDS(on) = 1.2 |? at VGS = -10 V, ID = -1 A

Max rDS(on) = 1.4 |? at VGS = -6 V, ID = -0.9 A

Very low RDS-on mid voltage P channel silicon technology optimized for low Qg

This product is optimized for fast switching applications as well as load switch applications

100% UIL Tested

RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications.



产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta），1.8A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.2 欧姆 @ 1A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 210 pF @ 75 V
最大功率耗散: 2.3W（Ta），16W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerWDFN
相似零件：0
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onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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