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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMC8296
FDMC8296

ON FDMC8296

N 通道30 V12A（Ta），18A（Tc）3V @ 250µA2.3W（Ta），27W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDMC8296
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
FDMC8296 数据表(pdf)
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is welll suited for Power Management and load switchingapplications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 8.0mΩ at VGS = 10V, ID = 12A

  • Max rDS(on) = 13.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 10A

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(on)

  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  •  Power Management and load switching applications 


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），18A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 8 毫欧 @ 12A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1385 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.3W（Ta），27W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerWDFN
相似零件：0
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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