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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMC6688P
FDMC6688P

ON FDMC6688P

P 通道20 V14A（Ta），56A（Tc）1V @ 250µA2.3W（Ta），30W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDMC6688P
MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
FDMC6688P 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This P-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been optimized for rDS(ON), switching performance and ruggedness.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 6.5 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -14 A

  • Max rDS(on) = 9.8 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -11 A

  • Max rDS(on) = 20 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -9 A

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(on)

  • High power and current handling capability in a widely used surface mount package

  • Lead-free and RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Load Switch

  • Battery Management

  • Power Management

  • Reverse Polarity Protection


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta），56A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 7435 pF @ 10 V
最大功率耗散: 2.3W（Ta），30W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳: 8-PowerWDFN
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onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

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