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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDMA410NZ
FDMA410NZ

ON FDMA410NZ

N 通道20 V9.5A（Ta）1V @ 250µA2.4W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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FDMA410NZ
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This Single N-Channel MOSFET has been designed using an advanced Power Trench process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET leadframe.

Features

PowerTrench® Series


  • HBM ESD protection level > 2.5 kV

  • Low Profile-0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm

  • Free from halogenated compounds and antimony oxides

  • RoHS Compliant

  • Max rDS(on) = 23 m? at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A

  • Max rDS(on) = 29 m? at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 A

  • Max rDS(on) = 36 m? at VGS = 1.8 V, ID = 4.0 A

  • Max rDS(on) = 50 m? at VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Li-lon Battery Pack

  • Baseband Switch

  • Load Switch

  • DC-DC Conversion

  • Automotive Electronics


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.5V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±8V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1080 pF @ 10 V
最大功率耗散: 2.4W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-MicroFET（2x2）
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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