ON FDH44N50
N 通道500 V44A（Tc）4V @ 250µA750W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较FDH44N50
MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
￥38.54
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
Tube Package
Improved Gate, avalanche and high reapplied dv/dt ruggedness
Low gate charge Qg results in simple drive requirement
Reduced RDS(on)
Improved switching speed with low EMI
Reduced Miller capacitance and low Input capacitance
Through Hole Mounting Type
Applications
FDH44N50 Applications
Power factor correction
Electronic lamp ballasts
Flat panel display
TV power
ATX
运输
包装
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N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 120 毫欧 @ 22A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 5335 pF @ 25 V
最大功率耗散: 750W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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