
ON FDBL0110N60
N 通道60 V300A(Tc)4V @ 250µA429W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型
比较FDBL0110N60
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF







¥83.20
价格更新:一个月前博斯克质量保证







产品详情
Features
PowerTrench® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
300A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.1mOhm @ 80A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
220 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
13650 pF @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
429W (Tj) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
运输
运费
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- 包裹重量≤0.5kg的基本运费根据时区和国家而定。
运输方式
- 我们的产品目前使用DHL,顺丰和UPS运输。如果数量少,则选择联邦快递。
交付时间
- 一旦发货,预期交货时间跟选择的运输方式有所变动。
包装
1
准备产品

2
真空包装

3
防静电袋

4
单独包装

5
包装盒

6
条形码运输标签

博斯克的广阔全球航运和物流中心涵盖了近200,000平方英尺的仓储空间,确保从采购和检验到测试和安全发运的整个过程中,您的产品得到安全储存和细致处理。
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.1 毫欧 @ 80A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 13650 pF @ 30 V
最大功率耗散: 429W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HPSOF
封装/外壳: 8-PowerSFN

onsemi
onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
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收入: 85M
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国家: 105
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