ON FDA20N50F
N 通道500 V22A（Tc）5V @ 250µA388W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较FDA20N50F
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
￥7.92
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
FRFET®, UniFET™ SeriesRos(on)= 220 ms (Typ.) @ VGs= 10V,lp=11A
Low Gate Charge (Typ. 50 nC)
Low Crss (Typ. 27 pF)
100% Avalanche Tested
Improved dv/dt Capability
RoHS Compliant
Applications
PDP TV
Uninterruptible Power Supply
AC-DC Power Supply
power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX
electronic lamp ballasts.
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: FRFET®, UniFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 260 毫欧 @ 11A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3390 pF @ 25 V
最大功率耗散: 388W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PN
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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