所有分类
联系我们
中文
首页
所有分类
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
FDA18N50
FDA18N50

ON FDA18N50

N 通道500 V19A（Tc）5V @ 250µA239W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔

比较
onsemi
FDA18N50
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
FDA18N50 数据表(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

￥8.03

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Features

UniFET™ Series

  • Low Crss ( Typ. 25pF)

  • 100% avalanche tested

  • RDS(on) = 265m? ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 9.5A

  • Low gate charge ( Typ. 45nC)


Through Hole Mounting Type

Applications

  • PDP TV

  • Uninterruptible Power Supply

  • AC-DC Power Supply


产品属性
全选
型号系列: UniFET™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 265 毫欧 @ 9.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2860 pF @ 25 V
最大功率耗散: 239W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PN
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
相似零件：0
onsemi

onsemi

onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

热门零件号

查看全部

实时新闻

查看全部

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

热门产品

01 / 02
10