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FCP850N80Z

ON FCP850N80Z

N 通道800 V8A(Tc)4.5V @ 600µA136W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FCP850N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Inaddition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress. Consequently, SuperFET IIMOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power andindustrial power applications.

Features

SuperFET® II Series


  • Advanced charge balance technology

  • Low on?resistance

  • Lower gate charge

  • Low conduction loss

  • Available in the TO-220 package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • AC-DC power supply

  • LED lighting

  • Audio

  • Laptop adapter

  • ATX power and industrial power applications


产品属性
全选
型号系列: SuperFET® II
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 850 毫欧 @ 3A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 600µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1315 pF @ 100 V
最大功率耗散: 136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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