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FCP130N60

ON FCP130N60

N 通道600 V28A(Tc)3.5V @ 250µA278W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FCP130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

SuperFET® II MOSFET is a brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

Features

SuperFET® II Series


  • 650 V @ TJ = 150°C

  • Typ. RDS(on) = 112 mΩ

  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 54 nC)

  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 240 pF)

  • 100% Avalanche Tested

  • RoHS Compliant



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
型号系列: SuperFET® II
包装: 管件
部件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 130 毫欧 @ 14A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3590 pF @ 380 V
最大功率耗散: 278W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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