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FCP104N60

ON FCP104N60

N 通道600 V37A(Tc)3.5V @ 250µA357W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FCP104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

Features

SuperFET® II Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
600 V Drain to Source Voltage (Vdss)
37A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
104mOhm @ 18.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
82 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4165 pF @ 380 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
357W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: SuperFET® II
包装: 管件
部件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 104 毫欧 @ 18.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4165 pF @ 380 V
最大功率耗散: 357W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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