ON BSS123W
N 通道100 V170mA（Ta）2V @ 1mA200mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较BSS123W
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
￥1.84
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
• Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • High Drain-Source Voltage Rating
Features
MOSFET (Metal Oxide) Technology?Low Rds(on) High Density Cell Design
?Tough and dependable
?Surface Mount Package with Extremely Small Dimensions
?Very Limited Capacity
?Fast Speed Switching
?RoHS Compliant / Lead-Free
Applications
BSS123W is ideal for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transformers, high-speed line drivers, power management/power supply, and switching.
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6 欧姆 @ 170mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 1mA
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 71 pF @ 25 V
最大功率耗散: 200mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70，SOT-323
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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