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2SK3821-E

ON 2SK3821-E

N 通道100 V40A(Ta)2.6V @ 1mA1.65W(Ta),65W(Tc)150°C(TJ)通孔

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onsemi
2SK3821-E
MOSFET N-CH 100V 40A SMP
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 2SK3820-DL-E is MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a Si Technology.

2SK382 with EDA / CAD Models manufactured by HIT. The 2SK382 is available in TO-220 Package, is part of the FETs - Single.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
40A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
33mOhm @ 20A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
73 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4200 pF @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.65W (Ta), 65W (Tc) Power Dissipation (Max)
150°C (TJ) Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
SMP Supplier Device Package
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 33 毫欧 @ 20A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.6V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4200 pF @ 20 V
最大功率耗散: 1.65W(Ta),65W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: SMP
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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