联系我们
中文
2N7002W

ON 2N7002W

N 通道60 V310mA(Ta)2V @ 250µA280mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

比较
onsemi
2N7002W
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥0.08

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

2N7002-13-01-F with pin details manufactured by DIODES. The 2N7002-13-01-F is available in SOT-23 Package, is part of the IC Chips.

The 2N7002-7 is MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 manufactured by DIODES. The 2N7002-7 is available in TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3, N-Channel 60V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


  • 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

  • These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant

  • ESD Protected

  • Low RDS(on)

  • Small Footprint Surface Mount Package



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • DC?DC Converter

  • Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.

  • Low Side Load Switch

  • Level Shift Circuits

  • Motor Control

  • Power Management Functions


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 310mA(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.6 欧姆 @ 50mA,5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 24.5 pF @ 20 V
最大功率耗散: 280mW(Tj)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)
封装/外壳: SC-70,SOT-323
onsemi

onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z