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2N7002ET7G

ON 2N7002ET7G

N 通道60 V260mA(Ta)2.5V @ 250µA300mW(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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2N7002ET7G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

2N7002-13-01-F with pin details manufactured by DIODES. The 2N7002-13-01-F is available in SOT-23 Package, is part of the IC Chips.

The 2N7002-7 is MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 manufactured by DIODES. The 2N7002-7 is available in TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3, N-Channel 60V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3.

Features

Tape & Reel (TR) Package
a 60V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
2N7002ET7G applications of single MOSFETs transistors.

  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.5 欧姆 @ 240mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 40 pF @ 25 V
最大功率耗散: 300mW(Tj)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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