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BSZ100N06NSATMA1

Infineon BSZ100N06NSATMA1

N 通道60 V40A(Tc)3.3V @ 14µA2.1W(Ta),36W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

Features

OptiMOS™ Series


  • N-channel

  • Qualified according to JEDEC1) for target applications

  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

  • Halogen-free according to IEC61249-2-21

  • It is optimised for high-performance SMPS, e.g. sync. rec.

  • 100% avalanche tested

  • Superior thermal resistance



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Switch-mode power supplies (SMPS)

  • Battery-powered applications

  • Motor control and Drives


产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 6V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 10 毫欧 @ 20A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.3V @ 14µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1075 pF @ 30 V
最大功率耗散: 2.1W(Ta),36W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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