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AUIRFR5305TR

Infineon AUIRFR5305TR

P 通道55 V31A(Tc)4V @ 250µA表面贴装型

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AUIRFR5305TR
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

HEXFET® Series
the avalanche energy rating (Eas) is 280 mJ
a continuous drain current (ID) of 31A
a drain-to-source breakdown voltage of 55V voltage
the turn-off delay time is 39 ns

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
AUIRFR5305TR applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A(Tc)
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 65 毫欧 @ 16A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1200 pF @ 25 V
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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