Infineon AUIRF7640S2TR
N 通道60 V5.8A（Ta），21A（Tc）5V @ 25µA2.4W（Ta），30W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较AUIRF7640S2TR
MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
￥12.16
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
HEXFET® SeriesAdvanced Process Technology
Optimized for Class D Audio Amplifier and High-Speed Switching Applications
Low Rds(on) for Improved Efficiency
Low Qg for Better THD and Improved Efficiency
Low Qrr for Better THD and Lower EMI
Low Parasitic Inductance for Reduced Ringing and Lower EMI
Delivers up to 100W per Channel into 8? Load
Dual Sided Cooling
175°C Operating Temperature
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Lead-free, RoHS and Halogen-free
Automotive Qualified
Applications
Automotive Class D audio amplifier
Home theater in a box systems
Mobile phones
Hearing aids
Powered speakers
High-end audio
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A（Ta），21A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 36 毫欧 @ 13A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 25µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 450 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.4W（Ta），30W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DIRECTFET SB
封装/外壳: DirectFET™ 等距 SB
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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