联系我们
中文
AUIRF7342QTR

Infineon AUIRF7342QTR

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 个 P 沟道(双)55V3.4A105 毫欧 @ 3.4A,10V3V @ 250µA

比较
AUIRF7342QTR
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥107.00

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Features

Tape & Reel (TR) Package


?¤ Advanced Planar Technology

?¤ Low On-Resistance

?¤ Logic Level Gate Drive

?¤ Dual P Channel MOSFET

?¤ Dynamic dv/dt Rating

?¤ 150??C Operating Temperature

?¤ Fast Switching

?¤ Fully Avalanche Rated

?¤ Lead-Free, RoHS Compliant

?¤ Automotive Qualified *

 

Surface Mount Mounting Type

Applications


The device provides designers with extremely efficient and reliable devices for automotive and a variety of other applications.

 


产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 不适用于新设计
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss): 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 105 毫欧 @ 3.4A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 690pF @ 25V
最大功率: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z