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STF3NK100Z

ST STF3NK100Z

N 通道1000 V2.5A(Tc)4.5V @ 50µA25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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STF3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Features

SuperMESH™ Series
a continuous drain current (ID) of 2.5A
a drain-to-source breakdown voltage of 1kV voltage
the turn-off delay time is 39 ns
a threshold voltage of 3.75V
a 1000V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
STF3NK100Z applications of single MOSFETs transistors.

  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
产品属性
全选
型号系列: SuperMESH™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6 欧姆 @ 1.25A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 601 pF @ 25 V
最大功率耗散: 25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z