ST STF30NM60ND
N 通道600 V25A（Tc）5V @ 250µA40W（Tc）150°C（TJ）通孔
比较STF30NM60ND
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
￥21.00
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
The STF30N65M5 is MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP manufactured by ST. The STF30N65M5 is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP, N-Channel 650V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP, Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube.
The STF30NM60N is MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP manufactured by ST. The STF30NM60N is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP, N-Channel 600V 25A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP.
Features
FDmesh™ II SeriesLow on-state resistance
Low gate input resistance
Low input capacitance and gate charge
High dv/dt and avalanche capabilities
Available in the TO-220FP package
Applications
Switching applications
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: FDmesh™ II
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 130 毫欧 @ 12.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2800 pF @ 50 V
最大功率耗散: 40W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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