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ST STD20NF06LT4
N 通道60 V24A（Tc）2.5V @ 250µA60W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
￥2.11
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features
STripFET™ II SeriesExceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Application oriented characterization
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
运输
包装
相似产品
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产品属性
全选
型号系列: STripFET™ II
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 40 毫欧 @ 12A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±18V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 660 pF @ 25 V
最大功率耗散: 60W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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