联系我们
中文
STD1NK80ZT4

ST STD1NK80ZT4

N 通道800 V1A(Tc)4.5V @ 50µA45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

比较
STD1NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥2.00

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

STD1NK80 with pin details manufactured by ST. The STD1NK80 is available in TO-252 Package, is part of the FETs - Single.

The STD1NK80Z-1 is MOSFET N-CH 800V 1A IPAK manufactured by ST. The STD1NK80Z-1 is available in TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, N-Channel 800V 1A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak, Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube, MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A.

Features

SuperMESH™ Series


  • 800V, 1A N-channel Zener protected SuperMESH? MOSFET in 3 pins DPAK package

  • Extremely high dv/dt capability

  • Improved ESD capability

  • 100% avalanche tested

  • New high voltage benchmark

  • Gate charge minimized

  • Extreme optimization of ST's well-established strip-based PowerMESH? layout

  • Suitable for AC adapters, battery chargers, and SMPS



DPAK Supplier Device Package

Applications


  • AC adapters

  • Battery chargers 

  • SMPS

  • Personal computer

  • Mobile phone chargers


产品属性
全选
型号系列: SuperMESH™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 16 欧姆 @ 500mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 160 pF @ 25 V
最大功率耗散: 45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z