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STB5NK50Z-1

ST STB5NK50Z-1

N 通道500 V4.4A(Tc)4.5V @ 50µA70W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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STB5NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

STB5NA50T4 with pin details manufactured by ST. The STB5NA50T4 is available in TO-263-2 Package, is part of the IC Chips.

STB5NC50T4 with EDA / CAD Models manufactured by ST. The STB5NC50T4 is available in D2-PAK Package, is part of the IC Chips.

Features

SuperMESH™ Series
a continuous drain current (ID) of 4.4A
a drain-to-source breakdown voltage of 500V voltage
the turn-off delay time is 32 ns
based on its rated peak drain current 17.6A.

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
STB5NK50Z-1 applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
产品属性
全选
型号系列: SuperMESH™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 535 pF @ 25 V
最大功率耗散: 70W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK(TO-262)
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。