ST STB25NM60N
N 通道600 V21A（Tc）4V @ 250µA160W（Tc）150°C（TJ）表面贴装型
比较STB25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
￥5.17
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
STB25NM50-1 with pin details manufactured by ST. The STB25NM50-1 is available in TO-262 Package, is part of the IC Chips.
The STB25NM50N-1 is MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK manufactured by ST. The STB25NM50N-1 is available in TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK, N-Channel 500V 22A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK.
Features
MDmesh™ II Series100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Drain-source voltage (VGS = 0): 500v
Gate- source voltage: ?à25 V
Applications
Rotary Switch
DIP Switch
Limit Switch
Reed Switch
Rocker Switch
Toggle Switch
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: MDmesh™ II
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 160 毫欧 @ 10.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2400 pF @ 50 V
最大功率耗散: 160W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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