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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IRLL2703PBF
IRLL2703PBF

Infineon IRLL2703PBF

N 通道30 V3.9A（Ta）2.4V @ 250µA1W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
IRLL2703PBF
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRLL2703PBF 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

HEXFET® Series

 

Surface Mount

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating Fast Switching

Fully Avalanche Rated Lead-Free

 

Surface Mount Mounting Type

Applications

use in a variety of applications.

 

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MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

￥0.81比较
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 45 毫欧 @ 3.9A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
最大栅极源电压: ±16V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 530 pF @ 25 V
最大功率耗散: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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