Infineon IRF8734TRPBF
N 通道30 V21A（Ta）2.35V @ 50µA2.5W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
￥2.57
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
HEXFET® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
21A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.5mOhm @ 21A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.35V @ 50µA Vgs(th) (Max) @ Id
30 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
3175 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3.5 毫欧 @ 21A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.35V @ 50µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3175 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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