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IRF8513PBF

Infineon IRF8513PBF

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)30V8A,11A15.5 毫欧 @ 8A,10V2.35V @ 25µA

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IRF8513PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

IRF843 with pin details manufactured by SAMSUNG. The IRF843 is available in TOP-3P Package, is part of the IC Chips.

IRF8513 with circuit diagram manufactured by IR. The IRF8513 is available in SOP-8 Package, is part of the FETs - Arrays.

Features

Tube Package


·Dual SO-8 MOSFET for POL

Converters in Notebook ComputersServers Graphics CardsGame Consoles and Set-Top Box

 

Surface Mount Mounting Type

Applications

 

·Low Gate Charge and Low RDS(on)

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

20V VGs Max. Gate Rating

·100% Tested for Rg

Lead-Free(Qualified to 260°C Reflow)

·RoHS Compliant(Halogen Free)

 





产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A,11A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 15.5 毫欧 @ 8A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.35V @ 25µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 766pF @ 15V
最大功率: 1.5W,2.4W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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