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IPP65R225C7XKSA1

Infineon IPP65R225C7XKSA1

N 通道650 V11A(Tc)4V @ 240µA63W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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IPP65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Features

CoolMOS™ C7 Series


?Increased MOSFET dv/dt ruggedness

?Better efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

?Best in class RDS(on)/package

?Easy touse/drive

?Pb-free plating,halogen free mold compound

?Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20

andJESD22)

 

Through Hole Mounting Type

Applications


PFCstages and hard switching PWM stages for e.g.Computing,Server,Telecom,UP Sand Solar.



产品属性
全选
型号系列: CoolMOS™ C7
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 225 毫欧 @ 4.8A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 240µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 996 pF @ 400 V
最大功率耗散: 63W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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