Infineon IPP65R190C7FKSA1
N 通道650 V13A（Tc）4V @ 290µA72W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较IPP65R190C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
￥7.20
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Features
CoolMOS™ C7 SeriesIncreasedMOSFETdv/dtruggedness
BetterefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg
BestinclassRDS(on)/package
Easytouse/drive
Pb-freeplating,halogenfreemoldcompound
QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22)
Applications
PFC stages and hard switching PWM stages for Computing
Industrial
Power Management
Alternative Energy
Communications & Networking
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: CoolMOS™ C7
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 190 毫欧 @ 5.7A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 290µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1150 pF @ 400 V
最大功率耗散: 72W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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