Infineon IPP083N10N5AKSA1
N 通道100 V73A（Tc）3.8V @ 49µA100W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较IPP083N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
￥12.24
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
The IPP080N06N is MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 manufactured by INFINEON. The IPP080N06N is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 80A TO-220.
IPP080N10NG with circuit diagram manufactured by INF. The IPP080N10NG is available in TO-220-3 Package, is part of the IC Chips.
Features
OptiMOS™ Series?Ideal for high frequency switching and sync.rec.
?Excellent gate charge xRDS(on)product(FOM)
?Very low on-resistance RDS(on)
?N-channel,normal level
?100% avalanche tested
?Pb-free plating;RoHS compliant
?Qualified according to JEDEC1)for target applications
?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Through Hole Mounting Type
Applications
high rated current-voltage
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 73A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 8.3 毫欧 @ 73A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 49µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2730 pF @ 50 V
最大功率耗散: 100W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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