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IKW75N65EH5XKSA1

Infineon IKW75N65EH5XKSA1

650 V90 A2.3mJ(开),900µJ(关)-40°C ~ 175°C(TJ)TO-247-3

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IKW75N65EH5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

Features

TrenchStop™ Series

 

High speed H5 technology offering

·Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies

·Plug and play replacement of previous generation IGBTs·650V breakdown voltage·Low gate charge QG

·GBT copacked with full-rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

·Maximum junction temperature 175°℃

·Qualified according to JEDEC for target applications·Pb-free lead platingRoHS compliant

·Complete product spectrum and PSpice Models

 

Through Hole Mounting Type

Applications


·Uninterruptible power supplies Solar converters·Welding converters

·Mid to high range switching frequency converters

 

 



产品属性
全选
型号系列: TrenchStop™
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟道
最大集电极-发射极击穿电压: 650 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.1V @ 15V,75A
最大功率: 395 W
开关能量: 2.3mJ(开),900µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 160 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 28ns/174ns
测试条件: 400V,75A,8 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 92 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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