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BSD235NH6327XTSA1

Infineon BSD235NH6327XTSA1

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)20V950mA350 毫欧 @ 950mA,4.5V1.2V @ 1.6µA

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BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

Features

Tape & Reel (TR) Package

Small Signal Transistors are transistors that are used to amplify low-level signals but can also can be used as a switch. Typical hFE values for small signal transistors range from 10 to 500, with maximum Ic ratings from about 80 to 600mA. They come in npn and pnp forms.

 

Surface Mount Mounting Type

Applications


? Dual N-channel

? Enhancement mode

? Super Logic level (2.5V rated)

? Avalanche rated

? Qualified according to AEC Q101

? 100% lead-free; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

 

BSD235NH6327XTSA1           Applications


low-level signals

 





产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 950mA
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 350 毫欧 @ 950mA,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 1.6µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 63pF @ 10V
最大功率: 500mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-PO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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国家: 105

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制造商: 950

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