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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
AUIRF8736M2TR
AUIRF8736M2TR

Infineon AUIRF8736M2TR

N 通道40 V27A（Ta），137A（Tc）3.9V @ 150µA2.5W（Ta），63W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
AUIRF8736M2TR 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

HEXFET® Series
a continuous drain current (ID) of 137A
a drain-to-source breakdown voltage of 40V voltage

DirectFET™ Isometric M4 Package / Case

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
AUIRF8736M2TR applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
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产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Ta），137A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.9 毫欧 @ 85A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.9V @ 150µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 6867 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta），63W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DirectFET™ 等距 M4
封装/外壳: DirectFET™ 等距 M4
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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